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主要技術(shù)指標(biāo)：

基材厚度：PET:10-125μm；PI:8-75μm

有效鍍膜幅寬：1300mm

6組濺射陰極，其中1組孿生陰極

純金屬濺射靶材利用率≥35%；反應(yīng)濺射靶材利用率≥30%；

真空抽率：卷繞室從大氣狀態(tài)到2×10^-2Pa，需要時(shí)間≤35min 

鍍膜室（清潔、空載）極限壓力：≤5×10^-4 Pa；

卷繞室壓升率（清潔、空載）：≤0.5Pa/hr（深冷冷阱工作）

放、收卷徑：400mm(最大)；放、收卷芯軸直徑：6 inch(150mm) ；

反饋控制：磁控濺射反饋補(bǔ)氣響應(yīng)時(shí)間≤45μs

鍍膜均勻性，重復(fù)性測(cè)試：在1250mm幅寬范圍內(nèi)濺射均勻性≤±3%

反應(yīng)濺射氣體反饋控制系統(tǒng)（可選）：實(shí)現(xiàn)對(duì)反應(yīng)濺射的精細(xì)控制；

前處理：烘烤解熱和線性離子源

在線光學(xué)反射率傳感系統(tǒng)或歐姆測(cè)量傳感系統(tǒng)

張力控制范圍：0-500N ，控制精度：±1%

基膜走速：0.5—10米/分鐘